存儲(chǔ)器

存儲(chǔ)器從一開(kāi)始發(fā)展就受到了人們很多的關(guān)注。其一，它的集成度和集成電路的工藝技術(shù)都代表著當(dāng)代的*高水平；其二，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的產(chǎn)量是*大的，并且使用面在整個(gè)集成電路家族中也是*廣。

數(shù)字存儲(chǔ)器發(fā)展到了今天，已經(jīng)有了很多不同的種類(lèi)，其中占主導(dǎo)地位的是DRAM（dynamic random access memories)，而人們視線*集中的就是近幾年有著快速發(fā)展的FRAM。隨著各種新的技術(shù)在電子信息技術(shù)領(lǐng)域的迅速發(fā)展，人們對(duì)高性能的存儲(chǔ)器的需求也隨之變大。一種的存儲(chǔ)器成為這個(gè)領(lǐng)域*具有發(fā)展?jié)摿Φ漠a(chǎn)品，它有著十分快速的寫(xiě)入速度，并且有著功耗低、操作電壓低、讀寫(xiě)次數(shù)不受限制以及抗輻射等*的性能。

它就是鐵電存儲(chǔ)器——被譽(yù)為存儲(chǔ)器*”。它可以在芯片電源忽然斷開(kāi)的情況下也可保留存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器中的信息[1]。這種技術(shù)在領(lǐng)域，可用于手機(jī)、PDA和衛(wèi)星通信系統(tǒng)等。

在低端的技術(shù)領(lǐng)域，鐵電存儲(chǔ)器已經(jīng)大量應(yīng)用于smart card、nmp3和各類(lèi)播放器中。

存儲(chǔ)器的分類(lèi)

傳統(tǒng)的主流半導(dǎo)體存儲(chǔ)器可以分為兩類(lèi)：易失性存儲(chǔ)器RAM(Random Access Memory)和非易失性存儲(chǔ)器PRAM（Phase-change Random Access memory)。易失性存儲(chǔ)器RAMRandomAccess Memory)的全名為隨機(jī)存取記憶體，它在任何時(shí)刻都是可以讀寫(xiě)的，RAM一般是作為操作系統(tǒng)或者其它正在運(yùn)行的程序臨時(shí)的存儲(chǔ)地點(diǎn)（可稱作內(nèi)存）。它的功能就相當(dāng)于計(jì)算機(jī)上的移動(dòng)存儲(chǔ)設(shè)備，用來(lái)保存數(shù)據(jù)的。RAM型存儲(chǔ)器有著使用方便，性能高的優(yōu)點(diǎn)，但缺點(diǎn)也很明顯，就是當(dāng)系統(tǒng)電源突然斷開(kāi)的時(shí)候，系統(tǒng)將無(wú)法保存數(shù)據(jù)。如果想要需要保存數(shù)據(jù)的話，就必須把它們寫(xiě)入到一個(gè)長(zhǎng)期的存儲(chǔ)器中（例如硬盤(pán)）。這也就是RAM被稱作“可變存儲(chǔ)器”的原因。

而另外一種非易失性存儲(chǔ)器（nonvolatile memory)則不存在突然斷電丟失數(shù)據(jù)的問(wèn)題，也不用定期地刷新存儲(chǔ)器內(nèi)容。這包括形式的只讀存儲(chǔ)器（ROM），在這之中包括可編程只讀存儲(chǔ)器（PROM）、可擦可編程只讀存儲(chǔ)器（EPROM）、可擦除只讀存儲(chǔ)器（EEPROM）和閃存。它也包括電池供電的隨機(jī)存取儲(chǔ)存器（RAM）。只讀存儲(chǔ)器（ROM）技術(shù)幾乎都來(lái)自于主流的非易失性存儲(chǔ)器的技術(shù)。正如字面上的意思一樣，被稱為只讀存儲(chǔ)器（ROM）就肯定不容易進(jìn)行寫(xiě)入操作，在實(shí)際的情況下只讀存儲(chǔ)器（ROM）是根本不能寫(xiě)入[2-3]。由ROM技術(shù)研究開(kāi)發(fā)出的存儲(chǔ)器也都具有進(jìn)行寫(xiě)入操作困難的弊端。這些技術(shù)包括有EPROM、EEPROM和Fhsh。這些存儲(chǔ)器不但寫(xiě)入速度慢，寫(xiě)入時(shí)功耗也很大，而且只能擦寫(xiě)有限的次數(shù)。